南京邮电大学考研，南京邮电大学考研分数线
光子集成技术在光子学领域具有广阔的应用前景，能够将多个光学器件集成到单个基板上。基于磷化铟（InP）的光子集成和单片硅光子学是两种主要的集成技术，各自具有独特的优点和缺点。
基于InP的光子集成被认为是可靠而全面的主动-被动平台，但在产量和基板尺寸方面存在限制。单片硅光子学具有出色的无源性能、对温度不敏感的调制器以及与互补金属氧化物半导体（CMOS）制造的兼容性，但缺乏光源。
令人兴奋的是，研究人员提出了一种突破性的主动-被动光子集成方案，展示了一种非凡的光子集成电路芯片。该芯片基于氮化镓（GaN）-硅平台，集成了光源、调制器、光电二极管、波导和Y分支分离器。与其他方法不同的是，所有有源器件都构建在相同的紫外线InGaN/AlGaN多量子阱结构上，从而降低了制造的复杂性和成本。
为了实现这一概念，研究人员设计了基于硅基氮化镓平台的光子集成电路芯片，并利用金属有机化学气相沉积生长的III族氮化物外延层。他们在传统的硅基GaN晶圆上构建了发射器、调制器、波导、分束器、接收器和监视器，而无需再生长或生长后掺杂。
研究人员对芯片进行了广泛的表征，结果表明施加到调制器的高反向偏置电压会增加光吸收，这是由吸收系数的变化引起的。这种独特的调制效果在接收器的光电流变化中得到反映。测试结果显示，串扰可以忽略不计，并且通过p接触层在同一波导上实现了光源和调制器之间的隔离，从而实现了最佳系统性能。
该系统成功地进行了光传输和数据处理。研究人员通过直接和间接调制在单个光路中传输两种类型的数据，或者使用另一种调制对一种调制信号的数据传输进行加密。
南京邮电大学研究中心的王永进教授表示：“展望未来，随着III族氮化物蚀刻精度的进一步提高，所提出的集成方案具有巨大的潜力，可以作为下一个竞争解决方案-一代光子集成，特别是在高集成密度不是关键要求的传感领域。”
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