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财联社7月24日电，据中科院官网24日消息，中国科学院上海高等研究院开发了简单有效的策略，通过在SnO2纳米颗粒中加入草酸甲脒（FOA）来同时抑制SnO2体相和表面缺陷以及钙钛矿埋底界面处FA+/Pb2+相关缺陷，实现了有效的靶向缺陷钝化。相关研究成果发表在《先进材料》（Advanced Materials）上。 研究发现，甲脒离子和草酸根离子在SnO2层中均呈纵向梯度分布，聚集在SnO2/钙钛矿埋底界面处，调节钙钛矿的晶体生长，降低体相及界面缺陷，改善钙钛矿和SnO2之间的能级匹配。结果表明，FOA处理后的PSCs能量转换效率从22.40%提高到25.05%，同时PSCs的存储稳定性和光稳定性也显著提升。该研究为靶向治疗埋底界面缺陷，改善PSCs性能提供了有效途径。
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