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集微网消息，中科院微电子研究所消息指出，相比传统的1T1C结构，2T0C-DRAM存在潜在的电流分享路径，不利于读写操作；两条独立的读/写位线使得电路布局布线更复杂，需要更复杂的外围电路控制读写；在阵列级的DRAM上，读字线存在严重的IR Drop问题，限制了阵列规模。
针对2T0C-DRAM的上述缺陷，中科院微电子所微电子重点实验室刘明院士团队与超弦存储研究院赵超研究员团队联合研发出基于高性能双栅IGZO晶体管的新型双栅结构2T0C-DRAM。器件层面上，通过微缩栅介质等效氧化层厚度和半导体厚度来提高器件的栅控能力，并进一步优化金属半导体接触，实现性能优异的双栅a-IGZO短沟道晶体管；电路层面上，提出双栅2T0C-DRAM新结构，基于栅端控制读写的优势，这种双栅2T0C-DRAM的读写更具灵活性、读字线可免于IR Drop问题、读写可共享一条位线。实验制备的双栅2T0C-DRAM能够实现大于300 秒的保持时间、大于100的读“1”与读“0”电流开关比。
基于该成果的文章入选2022 IEDM，并获选Top Ranked Students文章。 （校对/姜羽桐）
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